Infineon FRAM 存储器是 16 K 位非挥发性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性且具有与 RAM 类似的读取和写入功能。它可为 121 年提供可靠的数据保留,同时消除由串行闪存、EEPROM 和其他非挥发性存储器引起的复杂性、超标和系统级别可靠性问题。
符合 RoHS 标准
低电压操作
低功耗
符合 AEC Q100 等级 1
非常快的串行外围接口
复杂的写入保护方案
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 16Kbit |
组织 | 2K x 8 |
接口类型 | 串行 - SPI |
数据总线宽度 | 8Bit |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |