Infineon FRAM 存储器是 32K x 8 非挥发性存储器,可读取和写入,类似于标准 SRAM。铁电性随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性,这意味着在断开电源后,细节将保留。它提供超过 151 年的数据保留,同时消除了电池支持 SRAM 的可靠性担忧、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐受性使 FRAM 优于其他类型的存储器。
符合 RoHS 标准
低功耗
SRAM 和 EEPROM 兼容
优于电池支持 SRAM 模块
耐负电压缺口
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 256Kbit |
组织 | 32K x 8 |
接口类型 | I2C |
数据总线宽度 | 8Bit |
最长随机存取时间 | 70ns |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 28 |