Infineon FRAM 存储器是 256K x 16 非挥发性存储器,可读取和写入,类似于标准 SRAM。铁电性随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性,这意味着在断开电源后,细节将保留。它提供超过 151 年的数据保留,同时消除了电池支持 SRAM 的可靠性担忧、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐受性使 FRAM 优于其他类型的存储器。
符合 RoHS 标准
低电压操作
低功耗
具有卓越的耐湿性和耐震性,带有振动
软件可编程块写入保护
属性 | 数值 |
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存储器大小 | 4Mbit |
组织 | 256K x 16 |
接口类型 | I2C |
数据总线宽度 | 16Bit |
最长随机存取时间 | 55ns |
封装类型 | TSOP |
引脚数目 | 44 |