这种 Infineon FRAM 是一种低功率的 2Mb 非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它可提供可靠的数据保持 151 年,同时消除串行闪存、EEPROM 和其他非易失存储器造成的复杂性、顶部和系统级可靠性问题。该 FRAM 有快速 SPI,并支持 SPI 模式 0 和模式 3。
符合 RoHS 标准
低电压操作
低功耗
复杂的写入保护机制
专用的 256 字节特殊扇区 FRAM
使用写入禁用指令进行软件保护
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 2MB |
组织 | 256K x 8 |
接口类型 | 串行 - SPI |
数据总线宽度 | 8Bit |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |