这种 Infineon FRAM 是一种 8 K x 8 的非易失性存储器,其读写功能与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器(FRAM)是非易失性的,这就是说,断电后仍会保留数据。它能可靠保留数据长达 151 年,同时消除电池供电 SRAM 的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。由于 FRAM 具备快速写入时序和写入高度耐久的特点,所以优于其他类型的存储器。其操作与其他 RAM 器件类似,因此可以直接取代系统中的标准 SRAM。最短读写周期时间相等。FRAM 存储器由于采用独特的铁电存储器工艺,因而具备非易失性。
低功耗
SRAM 和 EEPROM 兼容
高度耐用,支持 100 万亿读写
高度可靠的先进铁电工艺
出色的防潮、抗冲击和抗振保护
属性 | 数值 |
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存储器大小 | 64Kbit |
组织 | 8K x 8 |
接口类型 | 并行 |
数据总线宽度 | 8Bit |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 28 |