这种 Infineon FRAM 是一种采用先进铁电工艺的 256 Kbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能可靠保留数据长达 151 年,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同,它以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。无需进行数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品高度耐受写入。
符合 RoHS 标准
低功耗
非常快的串行外围接口
复杂的写入保护机制
高度耐用,支持 100 万亿读写
高度可靠的先进铁电工艺
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 256Kbit |
组织 | 32K x 8 |
接口类型 | 串行 - SPI |
数据总线宽度 | 8Bit |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |