Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
Texas Instruments 双栅极驱动器以改进的 Peak 输出电流和效率取代了行业标准栅极驱动器。每个化合物输出驱动器级包括并行工作的 MOS 和双极晶体管,它们一起从电容性负载吸收超过 5 A Peak。结合 MOS 和双极设备的独特特性,可减少驱动电流随电压和温度的变化。还提供欠电压锁定保护。该驱动器可与连接的输入和输出并行操作,以使驱动电流容量翻倍。此设备采用 SOIC 封装或热增强型
独立驱动两个 N 沟道 MOSFET
复合 CMOS 和双极输出可减少输出电流变化
5 A 汇电流和 3 A 源电流容量
两个通道可并行连接,以使驱动电流加倍
独立输入 (TTL 兼容)
快速传播时间 (25 ns 典型值)
快速上升和下降时间 (在 2-nF 负载下分别上升和下降 14 ns 和 12 ns)
提供双同相,双反相和组合配置
电源导轨欠电压锁定保护 (UVLO) ƒ Ω
LM5111-4 UVLO 配置为通过 out_A 和 NFET 通过 out_B 驱动 PFET
引脚与工业标准栅极驱动器兼容
属性 | 数值 |
---|---|
逻辑类型 | TTL |
输出电流 | 5 A |
电源电压 | 14V |
引脚数目 | 8 |
封装类型 | SOIC |
输出数目 | 2 |
拓扑 | 低侧 |
驱动器数目 | 2 |
极性 | 非反相 |
安装类型 | 贴片 |