Vishay 晶体管 - IGBT

Vishay MOSFET

Vishay 表面安装 P 沟道 SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 41mms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 83W ，连续漏极电流为 28A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

• 无卤素
•新型低热阻 PowerPAK 封装，薄型 1.07mm
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• PWM 优化
• TrenchFET 功率 MOSFET

应用

•半桥电动机驱动器
•高电压非同步降压转换器
•负载开关

认证

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。