Vishay 晶体管 - IGBT
- RS 库存编号 180-7793
- 制造商零件编号 SIA456DJ-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
Vishay SIA456DJ 是 N 沟道 MOSFET ，具有 200V 的漏极至源电压 (VDS) 和 16V 的栅极至源电压 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封装。它在 4.5VGS 时提供 1.38ohm 的漏极到源电阻 (RDS) ，在 2.5VGS 时提供 1.5ohm 的电阻。最大漏极电流 2.6A。
Trench FET 功率 MOSFET
热增强型 Power PAK SC-70 封装
占地面积小
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单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
4.776
(不含税)
RMB
5.397
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 740
RMB4.776
RMB47.76
750 - 1490
RMB4.633
RMB46.33
1500 +
RMB4.494
RMB44.94
* 参考价格
包装方式：
