STMicroelectronics 650 V 145 A IGBT, 4引脚, N通道

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

IGBT

STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce ( sat )行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于广泛的快速应用。

最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce ( sat )温度系数

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
最大连续集电极电流 145 A
最大集电极-发射极电压 650 V
最大栅极发射极电压 ±20V
晶体管数 1
最大功率耗散 441 W
封装类型 TO247 - 4
通道类型 N
引脚数目 4
晶体管配置
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 毎管:30 个
RMB 47.506
(不含税)
RMB 53.682
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
30 - 120
RMB47.506
RMB1,425.18
150 +
RMB46.08
RMB1,382.40
* 参考价格