STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce ( sat )行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于广泛的快速应用。
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce ( sat )温度系数
属性 | 数值 |
---|---|
最大连续集电极电流 | 145 A |
最大集电极-发射极电压 | 650 V |
最大栅极发射极电压 | ±20V |
晶体管数 | 1 |
最大功率耗散 | 441 W |
封装类型 | TO247 - 4 |
通道类型 | N |
引脚数目 | 4 |
晶体管配置 | 单 |