这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术,为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术,可更好地控制动态特性,集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))更低、开关损耗更少。此外,此结构提供更低的热阻 R(th)。
600 V,30 A,低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准
属性 | 数值 |
---|---|
最大连续集电极电流 | 30 A |
最大集电极-发射极电压 | 600 V |
最大栅极发射极电压 | ±20V |
晶体管数 | 1 |
最大功率耗散 | 230 W |
封装类型 | TO-247 |
配置 | 单二极管 |