onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 115 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002LG

  • RS 库存编号 103-2941
  • 制造商零件编号 2N7002LT1G
  • 制造商 onsemi
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 115 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 7.5 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 300 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
长度 2.9mm
宽度 1.3mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
93000 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 0.308
(不含税)
RMB 0.348
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
RMB0.308
RMB924.00
6000 - 9000
RMB0.306
RMB918.00
12000 - 27000
RMB0.303
RMB909.00
30000 - 57000
RMB0.30
RMB900.00
60000 +
RMB0.297
RMB891.00
* 参考价格