onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS123LT1G

  • RS 库存编号 103-2944
  • 制造商零件编号 BSS123LT1G
  • 制造商 onsemi
产品技术参数资料
法例与合规
不适用
COO (Country of Origin): CZ
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor

MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 170 mA
最大漏源电压 100 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 6 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.8V
最大功率耗散 225 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 1.3mm
最高工作温度 +150 °C
长度 2.9mm
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
当前暂无库存,可于2024-06-24发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 0.357
(不含税)
RMB 0.403
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
RMB0.357
RMB1,071.00
6000 - 27000
RMB0.351
RMB1,053.00
30000 +
RMB0.315
RMB945.00
* 参考价格