onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 17 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP17P06
- RS 库存编号 124-1755
- 制造商零件编号 FQP17P06
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
Fairchild Semiconductor QFET® P 通道 MOSFET
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供出色的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比同类平面 MOSFET 设备更高的性能系数 (FOM)。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 系列 | QFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 79 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.7mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
当前暂无库存，可于2024-08-30发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
11.491
(不含税)
RMB
12.985
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 50
RMB11.491
RMB574.55
100 - 150
RMB11.147
RMB557.35
200 +
RMB10.812
RMB540.60
* 参考价格
