ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, RE1C002UNTCL

  • RS 库存编号 124-6784
  • 制造商零件编号 RE1C002UNTCL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 200 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SC-75
系列 RE1C002UN
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 4.8 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.3V
最大功率耗散 150 mW
最大栅源电压 -8 V、+8 V
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
长度 1.7mm
宽度 0.96mm
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) /个 (每包:150个)
RMB 0.422
(不含税)
RMB 0.477
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
150 - 600
RMB0.422
RMB63.30
750 - 1350
RMB0.418
RMB62.70
1500 +
RMB0.397
RMB59.55
* 参考价格
包装方式: