ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚, RU1C002ZPTCL

  • RS 库存编号 124-6835
  • 制造商零件编号 RU1C002ZPTCL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 200 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-323
系列 RU1C002ZP
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 9.6 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.3V
最大功率耗散 150 mW
最大栅源电压 -10 V、+10 V
长度 2.1mm
典型栅极电荷@Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
最高工作温度 +150 °C
宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 1
500 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) /个 (每包:100个)
RMB 0.534
(不含税)
RMB 0.603
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
100 - 700
RMB0.534
RMB53.40
800 - 1400
RMB0.528
RMB52.80
1500 +
RMB0.502
RMB50.20
* 参考价格
包装方式: