IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=最小为 250 V, 110 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXTH110N25T
- RS 库存编号 125-8047
- 制造商零件编号 IXTH110N25T
- 制造商 IXYS
产品详细信息
N 通道 Trench-Gate 功率 MOSFET，IXYS
Trench Gate MOSFET 技术
低通态电阻 RDS（开启）
极佳的可耐受雪崩性
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 最小为 250 V |
| 系列 | Trench |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 694 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 16.26mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 157 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5.3mm |
当前暂无库存，可于2024-10-09发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个
RMB
67.10
(不含税)
RMB
75.82
(含税)
单位
Per unit
1 - 7
RMB67.10
8 - 14
RMB65.09
15 +
RMB63.14
