Texas Instruments P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 104 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD25404Q3T

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Texas Instruments

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 104 A
最大漏源电压 20 V
系列 NexFET
封装类型 VSON-CLIP
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 150 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.15V
最小栅阈值电压 0.65V
最大功率耗散 96 W
晶体管配置
最大栅源电压 -12 V、+12 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 10.8 nc @ 4.5 v
长度 3.4mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 3.4mm
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) /个 (每包:5个)
RMB 8.512
(不含税)
RMB 9.619
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 60
RMB8.512
RMB42.56
65 - 120
RMB8.256
RMB41.28
125 +
RMB8.006
RMB40.03
* 参考价格
包装方式: