onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, NTMD4N03R2G
- RS 库存编号 163-1128
- 制造商零件编号 NTMD4N03R2G
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 10 V 直流 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
当前暂无库存，可于2024-10-08发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：2500)
RMB
2.241
(不含税)
RMB
2.532
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB2.241
RMB5,602.50
12500 +
RMB2.174
RMB5,435.00
* 参考价格
