onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 5.3 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS9435A
- RS 库存编号 166-1790
- 制造商零件编号 FDS9435A
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 长度 | 5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
当前暂无库存，可于2024-12-03发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：2500)
RMB
2.06
(不含税)
RMB
2.33
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB2.06
RMB5,150.00
12500 +
RMB2.00
RMB5,000.00
* 参考价格
