IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 36 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN36N100
- RS 库存编号 168-4473
- 制造商零件编号 IXFN36N100
- 制造商 IXYS
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ 系列
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | SOT-227 |
| 系列 | HiperFET |
| 安装类型 | 螺钉 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 700W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 25.42mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 38.23mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 380 nC @ 10 V |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：10 个
RMB
509.446
(不含税)
RMB
575.674
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
10 - 10
RMB509.446
RMB5,094.46
20 - 30
RMB494.163
RMB4,941.63
40 +
RMB479.338
RMB4,793.38
* 参考价格
