IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 32 A, TO-264, 通孔安装, 3引脚, IXFK32N100Q3
- RS 库存编号 168-4702
- 制造商零件编号 IXFK32N100Q3
- 制造商 IXYS
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 32 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class |
| 封装类型 | TO-264 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V |
| 最大功率耗散 | 1.25 kW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.13mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 195 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 19.96mm |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：25 个
RMB
209.816
(不含税)
RMB
237.092
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
25 - 25
RMB209.816
RMB5,245.40
50 - 75
RMB203.521
RMB5,088.025
100 +
RMB197.416
RMB4,935.40
* 参考价格
