STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 5 A, PowerSO, 贴片安装, 10引脚, PD55015-E
- RS 库存编号 168-8053
- 制造商零件编号 PD55015-E
- 制造商 STMicroelectronics
产品技术参数资料
产品详细信息
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PowerSO |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 10 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 73 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +165 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.5mm |
| 长度 | 9.6mm |
950 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
150.077
(不含税)
RMB
169.587
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB150.077
RMB7,503.85
250 +
RMB147.075
RMB7,353.75
* 参考价格
