STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=950 V, 8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP10N95K5

产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 950 V
封装类型 TO-220
系列 MDmesh K5, SuperMESH5
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 800 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 130 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
宽度 4.6mm
长度 10.4mm
晶体管材料 Si
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
当前暂无库存,可于2024-05-15发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 毎管:50 个
RMB 17.154
(不含税)
RMB 19.384
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB17.154
RMB857.70
250 +
RMB16.639
RMB831.95
* 参考价格