onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
- RS 库存编号 169-8553
- 制造商零件编号 2N7000
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 5.2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.19mm |
当前暂无库存，可于2024-06-19发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：10000)
RMB
0.93
(不含税)
RMB
1.05
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
10000 - 10000
RMB0.93
RMB9,300.00
20000 - 90000
RMB0.902
RMB9,020.00
100000 +
RMB0.875
RMB8,750.00
* 参考价格
