Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 90 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 170-2284
- 制造商零件编号 IPD068N10N3GATMA1
- 制造商 Infineon
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
Infineon MOSFET
Infineon PG-to-252-3 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一款新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏源电阻为 6.8mohm。MOSFET 具有 90A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 100V。它的最大功耗为 71W。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•易于设计的产品
• 环保
•出色的栅极电荷 x RDS (接通) 产品 (FOM)
•出色的切换性能
• 无卤素
•最高功率密度
• 效率提高
•无铅 (Pb) 镀层
•所需并联更少
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•最小板空间消耗
•非常低的 Qg 和 Qgd
•全球最低 RDS (接通)
应用
• D 类音频放大器
•隔离直流 - 直流转换器 (电信和数据通信系统)
•用于 48V-80V 系统 (家用车辆，电动工具，卡车) 的电动机控制
• 48V 系统中的 O 形圈开关和断路器
•同步整流器
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 系列 | IPD068N10N3 G |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 12.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 51 nC @ 10 V |
| 宽度 | 7.47mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
