Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 2.2 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBC20PBF
- RS 库存编号 178-0839
- 制造商零件编号 IRFBC20PBF
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.4 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.41mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
当前暂无库存，可于2024-10-08发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
7.045
(不含税)
RMB
7.961
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB7.045
RMB352.25
250 +
RMB6.341
RMB317.05
* 参考价格
