Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 600 mA, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD210PBF
- RS 库存编号 178-0916
- 制造商零件编号 IRFD210PBF
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 600 mA |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | HVMDIP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| 宽度 | 6.29mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
1000 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 毎管：100 个
RMB
5.509
(不含税)
RMB
6.225
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
100 - 400
RMB5.509
RMB550.90
500 +
RMB4.958
RMB495.80
* 参考价格
