Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3 A, vsonp, 贴片安装, 8引脚, CSD17575Q3
- RS 库存编号 208-8479
- 制造商零件编号 CSD17575Q3
- 制造商 Texas Instruments
产品详细信息
-
-
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | NexFET |
| 封装类型 | Vsonp |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 2300000 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：2500)
RMB
4.371
(不含税)
RMB
4.939
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB4.371
RMB10,927.50
12500 +
RMB4.283
RMB10,707.50
* 参考价格
