Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 12 A, vsonp, 贴片安装, 8引脚, CSD18543Q3A

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

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该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 12 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 Vsonp
系列 NexFET
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 12 万 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.5V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
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单价(不含税) 个 (在毎卷:2500)
RMB 3.25
(不含税)
RMB 3.67
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 10000
RMB3.25
RMB8,125.00
12500 +
RMB3.185
RMB7,962.50
* 参考价格