Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 A, D²PAK, 贴片安装, 3引脚, CSD18536KTTT

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 200 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 D²PAK
安装类型 贴片
引脚数目 3
通道模式 增强
晶体管材料
每片芯片元件数目 1
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (在毎卷:50)
RMB 32.046
(不含税)
RMB 36.212
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
50 - 50
RMB32.046
RMB1,602.30
100 +
RMB31.085
RMB1,554.25
* 参考价格