Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 11 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, IRFU9024NPBF
- RS 库存编号 541-1657
- 制造商零件编号 IRFU9024NPBF
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V
Infineon的分立式HEXFET®功率MOSFET系列包括采用表面安装和引线封装的P通道器件，以及可应对几乎所有电路板布局和散热设计难题的外形尺寸。在整个系列内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 系列 | HEXFET |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 175 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 38 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 2.39mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.73mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
97 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个
RMB
5.59
(不含税)
RMB
6.32
(含税)
单位
Per unit
1 - 9
RMB5.59
10 - 49
RMB5.40
50 +
RMB5.14
包装方式：
