Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 5 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF830APBF
- RS 库存编号 542-9434
- 制造商零件编号 IRF830APBF
- 制造商 Vishay
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor
Vishay 功率 MOSFET 具有低栅极电荷 Qg ，可实现简单的驱动要求，且具有改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt 坚固性。
工作接点和存储温度范围 - 55 至 + 150°C
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 74 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.41mm |
| 宽度 | 4.7mm |
597 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个
RMB
10.99
(不含税)
RMB
12.42
(含税)
单位
Per unit
1 - 24
RMB10.99
25 - 99
RMB10.82
100 - 249
RMB10.55
250 - 499
RMB10.31
500 +
RMB10.07
包装方式：
