onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10.2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS8878
- RS 库存编号 671-0725
- 制造商零件编号 FDS8878
- 制造商 onsemi
产品详细信息
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 10.2 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 2500 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
1970 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
3.898
(不含税)
RMB
4.405
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 +
RMB3.898
RMB19.49
* 参考价格
包装方式：
