STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP5NK80Z

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 4.3 A
最大漏源电压 800 V
系列 MDmesh, SuperMESH
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 2.4 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 110000 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
长度 10.4mm
晶体管材料 Si
宽度 4.6mm
典型栅极电荷@Vgs 32.4 nC @ 10 V
当前暂无库存,可于2024-10-21发货,5 工作日送达。
单价(不含税) /个 (每包:5个)
RMB 14.35
(不含税)
RMB 16.22
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 10
RMB14.35
RMB71.75
15 - 20
RMB13.918
RMB69.59
25 +
RMB13.498
RMB67.49
* 参考价格