Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 110 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚

  • RS 库存编号 710-5060
  • 制造商零件编号 SUM110P06-07L-E3
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor

特点
• TrenchFET ® 功率 MOSFET
•具有低热阻的封装

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 110 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 7 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 3.75 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V
长度 10.41mm
最高工作温度 +175 °C
宽度 9.65mm
晶体管材料 Si
当前暂无库存,可于2024-08-07发货,5 工作日送达。
单价(不含税) /个 (每包:5个)
RMB 25.102
(不含税)
RMB 28.365
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 20
RMB25.102
RMB125.51
25 - 95
RMB24.664
RMB123.32
100 - 245
RMB24.048
RMB120.24
250 +
RMB23.446
RMB117.23
* 参考价格
包装方式: