IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, IXFK27N80Q
- RS 库存编号 711-5382
- 制造商零件编号 IXFK27N80Q
- 制造商 IXYS
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列
N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 27 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | TO-264AA |
| 系列 | HiperFET, Q-Class |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最大功率耗散 | 500 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 19.96mm |
| 宽度 | 5.13mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 170 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
16 现货库存，2024-05-02 发货。
34 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） 个
原价
RMB203.12
RMB
162.50
(不含税)
RMB
183.62
(含税)
单位
Per unit
1 - 6
RMB162.50
7 +
RMB159.08
包装方式：
