onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 20 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NTD5867NLT4G
- RS 库存编号 719-2901
- 制造商零件编号 NTD5867NLT4G
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
暂时缺货-将在补货后发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
4.228
(不含税)
RMB
4.778
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 +
RMB4.228
RMB21.14
* 参考价格
包装方式：
