Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SiHG32N50D-GE3
- RS 库存编号 787-9207
- 制造商零件编号 SiHG32N50D-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 390 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 宽度 | 5.31mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 64 nC @ 10 V |
| 长度 | 15.87mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
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单价（不含税） 个
RMB
29.66
(不含税)
RMB
33.52
(含税)
单位
Per unit
1 - 6
RMB29.66
7 +
RMB28.79
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