Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 787-9222
- 制造商零件编号 SI2333DDS-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品技术参数资料
产品详细信息
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 19 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.7 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 8 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3.04mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
240 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
2.22
(不含税)
RMB
2.51
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 +
RMB2.22
RMB22.20
* 参考价格
包装方式：
