Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 40 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

  • RS 库存编号 787-9484
  • 制造商零件编号 SQD40N06-14L_GE3
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 DPAK (TO-252)
系列 SQ Rugged
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 29 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1.5V
最大功率耗散 75 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
长度 6.73mm
晶体管材料 Si
宽度 6.22mm
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) /个 (每包:5个)
RMB 11.218
(不含税)
RMB 12.676
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 20
RMB11.218
RMB56.09
25 +
RMB10.938
RMB54.69
* 参考价格
包装方式: