STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 90 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP140N8F7
- RS 库存编号 791-7810
- 制造商零件编号 STP140N8F7
- 制造商 STMicroelectronics
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 系列 | STripFET H7 |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 96 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
30 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
20.438
(不含税)
RMB
23.095
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 +
RMB20.438
RMB102.19
* 参考价格
包装方式：
