STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 24 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD20NF06T4

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 24 A
最大漏源电压 60 V
系列 STripFET
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 40 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 60 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +175 °C
长度 6.6mm
晶体管材料 Si
宽度 6.2mm
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V
17410 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) Each (On a Tape of 10)
RMB 6.61
(不含税)
RMB 7.47
(含税)
单位
Per unit
Per Tape*
10 +
RMB6.61
RMB66.10
* 参考价格