onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 8.4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, FDD4685
- RS 库存编号 809-0893
- 制造商零件编号 FDD4685
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 8.4 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 系列 | PowerTrench |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 69 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 晶体管材料 | Si |
150 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
7.603
(不含税)
RMB
8.591
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 620
RMB7.603
RMB76.03
630 - 1240
RMB7.374
RMB73.74
1250 +
RMB7.152
RMB71.52
* 参考价格
包装方式：
