Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 110 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB7540PBF
- RS 库存编号 820-8849
- 制造商零件编号 IRFB7540PBF
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 系列 | StrongIRFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 5.1 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 160 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 4.83mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 88 nC @ 10 V |
85 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
7.278
(不含税)
RMB
8.224
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 10
RMB7.278
RMB36.39
15 - 20
RMB7.058
RMB35.29
25 +
RMB6.846
RMB34.23
* 参考价格
包装方式：
