Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.1 A, PICOSTAR, 贴片安装, 3引脚, CSD17381F4T
- RS 库存编号 823-9240
- 制造商零件编号 CSD17381F4T
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | FemtoFET |
| 封装类型 | PICOSTAR |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 1.04mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.04 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 0.64mm |
| 晶体管材料 | Si |
300 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:20个)
RMB
4.461
(不含税)
RMB
5.041
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
20 - 20
RMB4.461
RMB89.22
40 - 80
RMB4.35
RMB87.00
100 - 480
RMB4.241
RMB84.82
500 - 980
RMB4.135
RMB82.70
1000 +
RMB4.031
RMB80.62
* 参考价格
包装方式：
