Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 110 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD19531Q5AT
- RS 库存编号 823-9259
- 制造商零件编号 CSD19531Q5AT
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | VSONP |
| 系列 | NexFET |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 7.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.3V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5mm |
| 晶体管材料 | Si |
1215 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
14.50
(不含税)
RMB
16.38
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 60
RMB14.50
RMB72.50
65 - 120
RMB14.07
RMB70.35
125 +
RMB13.646
RMB68.23
* 参考价格
包装方式：
