Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD16321Q5
- RS 库存编号 827-4684
- 制造商零件编号 CSD16321Q5
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | VSON-CLIP |
| 系列 | NexFET |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V |
| 最小栅阈值电压 | 0.9V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V，+10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
1965 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
10.352
(不含税)
RMB
11.698
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 620
RMB10.352
RMB51.76
625 - 1245
RMB10.038
RMB50.19
1250 +
RMB9.74
RMB48.70
* 参考价格
包装方式：
