Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19536KCS
- RS 库存编号 827-4919
- 制造商零件编号 CSD19536KCS
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 259 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 118 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
当前暂无库存，可于2024-05-22发货，5 工作日送达。
单价（不含税） /个 (每包:2个)
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RMB
36.787
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
2 - 12
RMB32.555
RMB65.11
14 - 24
RMB31.57
RMB63.14
26 +
RMB30.625
RMB61.25
* 参考价格
包装方式：
