Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK20E60W,S1VX(S
- RS 库存编号 827-6160
- 制造商零件编号 TK20E60W,S1VX(S
- 制造商 Toshiba
产品详细信息
MOSFET N 通道，TK2x 系列，Toshiba
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Toshiba
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | TK |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 155 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最大功率耗散 | 165 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.16mm |
| 宽度 | 4.45mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
当前暂无库存，可于2024-10-29发货，5 工作日送达。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
29.408
(不含税)
RMB
33.231
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 20
RMB29.408
RMB147.04
25 - 45
RMB28.672
RMB143.36
50 - 95
RMB27.954
RMB139.77
100 - 245
RMB27.254
RMB136.27
250 +
RMB26.576
RMB132.88
* 参考价格
包装方式：
